РУСENG
Единый портал продукции и комплектующихракетно-космической промышленности

Микросхемы и электроника

СВЧ p-i-n элементы

  • Назначение: Предназначены для работы в качестве устройств дискретного управления амплитудой и фазой передаваемого сигнала в модулях дискретных фазовращателей АФАР локационных и связных систем космического базирования.
  • Год начала выпуска: 2013
ПараметрыЗначение
Рабочая частота> 50 ГГц
Емкость (Uобр = 10 В, fизм = 1 МГц)0,001-0,015 пФ
Прямое сопротивление потерь (при Iпр = 10 мА и fизм = (3-4) ГГц)5,0 Ом
Постоянное прямое напряжение (Iпр = 5 мА)0,9-1,1 В
Обратный ток (Uобр = 30 В)0,05-0,08 мкА
Пробивное напряжение (I обр = 10 мкА)> 50 В
Толщина полупроводниковых мембран5 – 20 мкм

Бескорпусные СВЧ переключающие p-i-n элементы с балочными выводами на основе тонких полупроводниковых и диэлектрических мембран с рабочей частотой до 50 ГГц.

Области применения:

  • Авиация
  • Космос
  • Радиотехника, электроника, микроэлектроника
  • Гражданские отрасли промышленности