Элемент солнечный арсенид-галлиевый GaInP2 / GaAs / Ge
- Назначение: Использование в конструкции батарей солнечных систем электропитания космических аппаратов для преобразования солнечной энергии в электрическую.
- Год начала выпуска: 2007
- Ориентировочный срок изготовления/ поставки (месяцев): 1
- Лётная квалификация изделия: Да
- Возможность адаптации изделия под требования заказчика: Да
| Параметры | Значение |
|---|---|
| КПД, % | 28,5 |
| Ток, mА | 500 |
| Напряжение в точке макс. мощности, Ump, В | 2,371 |
| Максимальная мощность, Pmp, Вт / м² | 381 |
| Толщина, мм | 0,09 / 0,11 / 0,14 |
| Размеры Д х Ш, мм | 80 х 40 |
- Полупроводниковая структура.
Примечание:
Типоразмер ФЭП (площадь от 4 мм2 до 60,3 мм2) и конструкция контактной системы могут быть изменены по желанию заказчика.
Правовая информация
Обращаем ваше внимание на то, что данный интернет-сайт носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями ч. 2 ст. 437 Гражданского кодекса Российской Федерации.
Информация, размещенная на данном интернет-сайте может быть изменена или дополнена.